4.1岛次薄膜的电导 因此，在没有外加电场下，一个电子要离开金属，需要克服的位垒为： 4=0+(x)=办，9 (4-4) 167E0x 16π80X 在外加电场下，设小岛之间的电场为均匀电场，其强度为F,则电子 所受的电场力为-gF,位能为-gFx。这时电子的总位能为： p(w)=- q -qFx 16πEox (4-5) 对x取微分，可以求得位能的最大值为： pm=- 9)V2F2 (4-6) 4πE0 因此，一个电子想从表面逸出，它需要克服的位垒变为： k=8=6( (4-7)4.1 岛状薄膜的电导 因此，在没有外加电场下，一个电子要离开金属，需要克服的位垒为： x q x 0 2 16 ( )       － qFx x q x    0 2 ' 16 ( )   1/ 2 1/ 2 0 3 ' ) 4 ( F q m     (4-4) 在外加电场下，设小岛之间的电场为均匀电场，其强度为F，则电子 所受的电场力为-qF，位能为-qFx。这时电子的总位能为： 对x取微分，可以求得位能的最大值为： 因此，一个电子想从表面逸出，它需要克服的位垒变为： 1 2 1 2 0 3 ' ' ) 4 ( F q m         (4-5) (4-6) (4-7) x q  0  2 16