集电区收集扩散过来的电子 冷集电结所加的是反向电压,集电结势垒由V增加到 v+V。集电结势垒很高,使集电区的电子和基区的 空穴很难通过集电结,但这个势垒对基区扩散到集 电结边缘的电子却有很强的吸引力,可使电子很快 地漂移过集电结为集电区所收集,形成集电极电流lco 冷另一方面,根据反向PN结的特性,当集电结加反向 电压时,基区中少数载流子电子和集电区中少数载 流子空穴在结电场作用下形成反向漂移电流,这部 分电流决定于少数载流子浓度,称为反向饱和电流 CBo,它的数值很小,对放大没有贡献,而且受温度 影响很大,容易使管子工作不稳定,所以在制造过 程中要尽量设法减小cB0。集电区收集扩散过来的电子 ❖ 集电结所加的是反向电压，集电结势垒由Vo增加到 Vo+Vcc。集电结势垒很高，使集电区的电子和基区的 空穴很难通过集电结，但这个势垒对基区扩散到集 电结边缘的电子却有很强的吸引力，可使电子很快 地漂移过集电结为集电区所收集，形成集电极电流IC。 ❖ 另一方面，根据反向PN结的特性，当集电结加反向 电压时，基区中少数载流子电子和集电区中少数载 流子空穴在结电场作用下形成反向漂移电流，这部 分电流决定于少数载流子浓度，称为反向饱和电流 ICBO，它的数值很小，对放大没有贡献，而且受温度 影响很大，容易使管子工作不稳定，所以在制造过 程中要尽量设法减小ICBO 。 10