1.1引言 造工艺提 == 将产生量 卖提高 IpHONE 功耗士宣 未来的发展:多核1.1 引言 ◼ 摩尔定律正在走向终结… –单芯片容纳晶体管的增加，对制造工艺提 出要求 –当CPU制造中硅晶体管小于7nm，将产生量 子穿隧效应 –CPU主频已达3GHz时代，难以继续提高 • 散热问题（发热太大，且难以驱散） • 功耗太高 未来的发展：多核