基区宽度调制效应 集电极 由共射极电路可知，VCE-VCB+ 'BE,当'CE增加时，由于yE变化较 P 集电区 少（例如硅管的'E为0.7V左右），故 集电结 基区 'c(集电结反向偏压)随之增加。 发射结 发射区 'c的增加使集电结的空间电荷区的 宽度增加，致使基区有效宽度减 发射极 小，这样在基区内载流子的复合机 ic/mA (a) (b 100 25℃ 会减少，使电流放大系数增大， 80 在ig不变的情况下，ic将随'ce增 60 大，特性曲线向上倾斜，这种现象 Q 40 称为基区宽度调制效应。 i8=20 uA 2020 基区宽度调制效应 ™ 由共射极电路可知， vCE= vCB + vBE ，当 vCE增加时，由于 vBE变化较 少 (例如硅管的 vBE 为0.7 V左右 )，故 vCB (集电结反向偏压 )随之增加。 ™ vCB的增加使集电结的空间电荷区的 宽度增加，致使基区有效宽度减 小，这样在基区内载流子的复合机 会减少，使电流放大系数β增大， 在 iB不变的情况下， i C将随 vCE 增 大，特性曲线向上倾斜，这种现象 称为基区宽度调制效应