第一章半导体基础知识 自测题 (1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6) 二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC 三、Uo1≈1.3VUo2=0Uo3≈-1.3VU0o4≈2VUo5≈2.3VU06≈-2V 四、Uo1=6VUo2=5V 五、根据PcM=200mW可得:UcE=40V时lc=5mA,UcE=30V时lc≈667mA,UE =20V时l=10mA,UcE=10V时lc=20mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图 略。 六、1、 =21A Rb IC=BlB=2.6mA UcE =Vcc-IcRc=2V 2、临界饱和时LcEs=UBE=0.7V,所以 Vc -U 2.86mA R 2861A Rb BB=B≈454kg 七、T1:恒流区:T2:夹断区;T3:可变电阻区 习题 1.1(1)AC(2)A(3)C(4)A 12不能。因为二极管的正向电流与其端电压成 指数关系,当端电压为1.3V时管子会因电流过大而 烧坏 13v1和lo的波形如图所示1 第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、UO1≈1.3V UO2＝0 UO3≈－1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈－2V 四、UO1＝6V UO2＝5V 五、根据 PCM＝200mW 可得：UCE＝40V 时 IC＝5mA，UCE＝30V 时 IC≈6.67mA，UCE ＝20V 时 IC＝10mA，UCE＝10V 时 IC＝20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图 略。 六、1、 V 2V 2.6mA 26μA V CE CC C C C B b BB BE B = − = = = = − = U I R I I R U I  UO＝UCE＝2V。 2、临界饱和时 UCES＝UBE＝0.7V，所以   − = = = = − = 45.4k V 28.6μA 2.86mA V B BB BE b C B c CC CES C I U R I I R U I  七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2 不能。因为二极管的正向电流与其端电压成 指数关系，当端电压为 1.3V 时管子会因电流过大而 烧坏。 1.3 ui 和 uo 的波形如图所示。 t t u u O O i o /V /V 10 10