1D=1s[-2(1- Vps-（V Vs-2] S(off) 式中1ns是'cs=0Vs=-VGan时，的漏极电流。 在此区与内，ID同时受Vcs和VDs的控制，当VDs很小时， VDs的二次方，可忽略。JFET管可看成为阻值受VGs控制 得线性电阻器。用Rm表示 1 Ron= ()2 2I DSs VGs -Vas(em) 2、饱和区： 由Vas>VastolVps>VGs-VGs(om所限定的区域。[ 2(1 ) ( ) ] 2 ( ) ( ) G S(off ) D S G S off D S G S off G S D DSS V V V V V V I = I − − − 式中 IDSS 是 VGS = 0 VDS = - VGS(off) 时， 的漏极电流。 在此区与内，ID 同时受VGS 和VDS 的控制，当VDS 很小时， VDS的二次方，可忽略。JFET管可看成为阻值受VGS 控制 得线性电阻器。用Ron 表示 ( ) 2 ( ) 1 2 ( ) DSS GS GS off GS off o n I V V V R − = 2、饱和区： 由 VGS  VGS(off ) 、 VDS  VGS −VGS(off ) 所限定的区域