上一讲重点内容 口MOS管的工作原理 截止区、线性区、饱和区 口大信号特性 线性区:Ib=ACo[(os-vm-Vm21J=V 饱和区:Db=Ca"(a-Vm) 沟道调制效应:Ib=MCm"(as-m)2(1+m)(饱和区 体效应:Vm=Vmo+y(√2①+-√2①) 2qE。N TH O In+2①+上 OX 北京大学微电子学系一陈中建一模拟集成电路原理与设计北京大学微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理与设计 2 上一讲重点内容 MOS管的工作原理 截止区、线性区、饱和区 大信号特性 OX del TH FB F OX si sub TH TH F SB F DS GS TH L W D n ox GS TH L W D n ox GS TH DS DS L W D n ox C Q V V C q N V V V I C V V V I C V V I C V V V V                   , 2 2 ( 2 2 ), ( ) 1 2 1 ( ) 2 1 ] 2 1 [( ) 0 0 2 2 2        体效应： 沟道调制效应： （ ＋ ）（饱和区） 饱和区： 线性区： L  L eff