像纵电子做术 第1章半导体二极管 例1.3.硅二极管,R=2k,分别用二极管理想模型和 恒压降模型求出V=2V和VD=10V时D和U的值。 on DD O V DD 风 DI [解]VD=2V 理想U0=1D=2vo=D/R=2/2=1(mA) 恒压降Uo=VD-UD(om0=2-07=13(V O=U0/R=13/2=0.65(mA) DD 大 Von=10V 理想0=Vm/R=10/2=5则/、用理想模型 恒压降Uo=10-0.7=93(V DD 1O=93/2=4.65(mA) 采用恒压降模型UD(on) 例 1.3.1 硅二极管，R = 2 k，分别用二极管理想模型和 恒压降模型求出VDD = 2 V 和 VDD = 10 V 时 IO 和 UO 的值。 VDD IO R UO VDD IO R UO [解] VDD = 2 V 理想 IO = VDD UO = VDD = 2 V / R = 2 / 2 = 1 (mA) 恒压降 UO = VDD – UD(on) = 2 − 0.7 = 1.3 (V) IO = UO / R = 1.3 / 2 = 0.65 (mA) VDD = 10 V 理想 IO = VDD/ R = 10 / 2 = 5 (mA) 恒压降 UO = 10 − 0.7 = 9.3 (V) IO = 9.3 / 2 = 4.65 (mA) VDD IO R UO VDD 大， 采用理想模型 VDD 小， 采用恒压降模型 第 1 章 半导体二极管