6.5影响沉淀纯度的因素及纯化方法 2.生成混晶（或固溶体）引起的共沉淀 如果溶液中存在着与构晶离子半径相近、电荷相同的 -Ag*-CI--Ag*-Ci- 杂质离子，则在沉淀过程中，杂质离子就有可能占据沉 淀中的某些晶格位置而进入沉淀的内部，形成混晶； -Cl--Ag+-CI--Ag 如果杂质离子位于晶格的空隙中，则形成固溶体，通 -Ag*-Cl--Ag*-Ci- 常二者不加区别而统称为混晶。 --CI--Ag*-Br-Ag" 形成混晶的杂质离子进入了晶体内部或晶 -Ag-CI--Ag*-CI" 格节点，所以难于驱除。 -0-9- 减少或消除混晶的最好方法是将杂质离子 固体 事先分离除去。 2. 生成混晶(或固溶体)引起的共沉淀 如果溶液中存在着与构晶离子半径相近、电荷相同的 杂质离子，则在沉淀过程中，杂质离子就有可能占据沉 淀中的某些晶格位置而进入沉淀的内部，形成混晶； 如果杂质离子位于晶格的空隙中，则形成固溶体，通 常二者不加区别而统称为混晶。 形成混晶的杂质离子进入了晶体内部或晶 格节点，所以难于驱除。 减少或消除混晶的最好方法是将杂质离子 事先分离除去。 Br 6.5 影响沉淀纯度的因素及纯化方法