电位门通道(voltage gated channel) 特点：膜电位变化可引起构象变化，“门”打开。 Na*、Kt、Ca2+电压门通道结构相似，由同一个远祖基因演化而来。 Extemal N S4 Seg 4th subunit not showr (b) Copynght 1999 John Wiley and Sons,Ina.All rights reserved K+电位门控离子通道：有四个亚单位，每个亚基有6 个跨膜a螺旋(S1-S6),N和C端均位于胞质面。连接 S5-S6段的发夹样β折叠(P区或H5区)，构成通道内 衬，大小允许K+通过。目前认为$4段是电压感受器。 (a) Copyright 1999 Jchn Vley and Sons.ine Ad rights reserve 电位门通道(voltage gated channel) • 特点：膜电位变化可引起构象变化， “门”打开。 • Na+ 、K + 、Ca2+电压门通道结构相似，由同一个远祖基因演化而来。 K+电位门控离子通道：有四个亚单位，每个亚基有6 个跨膜α螺旋(S1-S6) ，N和C端均位于胞质面。连接 S5-S6段的发夹样β折叠 (P区或H5区)，构成通道内 衬，大小允许K+通过。目前认为S4段是电压感受器。 4th subunit not shown