5、'Gs=OV时，能够工作在恒流区的场效应管有 和】 A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管 6、放大器在高频信号作用时，增益下降的原国是 ,而低频信号作用时增益下降的原 因是 A耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在 C半导体管的非线性特性 D放大电路的静态工作点不合适 7、在图4所示单电源功放电路中， 若三极管饱和管压降为|VCEs|, 则最大输出功率POM= A.(Vcc-VcEs)2/2RL B.(Vcc/2-VcEs)2/RL C.(Vcc/2-VcEs)2/2RI D.(Vcc-VeEs)2/RL 8、集成运算放大电路采用直接耦合方式是因为】 A.可获得很大的放大倍数 B.放大交流信号 C.集成工艺难于制造大容量电容 D.便于设计 9、交流负反情是指 A.阻容耦合放大电路中所引入的负反馈 B.只有放大交流信号时才有的负反馈 C.在交流通路中的负反馈 10、欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入 A.电压串联负反馈 B.电压并联负反馈 C.电流串联负反债 D,电流并联负反馈 11、已知输入信号的频率为1OkHz~12kHz,为了防止千扰信号的混入，应选用一滤波 电路。 A.带阻 B.带通C.低通D.高通 12、在图5所示的单相桥式整流滤波电路中，已知变压器副边电压有效值V2为10V,电容满 足R1C2(3~5)T2(T为电网电压的周期)。若电容虚焊，则输出电压Vo的平均值约 为」 :若有一只整流管和滤波电容C同时开路，则输出电压Vo的平均值约 为 A.14V B.12V C.9V D.4.5V 第2页共4页 5、VGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 和 。 A. 结型管 B. 增强型 MOS 管 C. 耗尽型 MOS 管 6、放大器在高频信号作用时, 增益下降的原因是 ，而低频信号作用时增益下降的原 因是 。 A.耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在 C.半导体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适 7、在图 4 所示单电源功放电路中， 若三极管饱和管压降为│VCES│， 则最大输出功率 PO M＝ 。 A． (VC C－ VCES) 2 /2RL B． (VC C/2－ VCES) 2 / RL C． (VC C/2－ VCES) 2 /2RL 图 4 D． (VC C－ VCES) 2 / RL 8、集 成运算放大电路采用直接耦合方式是因为 。 A．可获得很大的放大倍数 B．放大交流信号 C．集成工艺难于制造大容量电容 D．便于设计 9、交 流负反馈是指 。 A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈 B．只有放大交流信号时才有的负反馈 C．在交流通路中的负反馈 10、欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入 。 A．电压串联负反馈 B．电压并联负反馈 C．电流串联负反馈 D．电流并联负反馈 11、已知输入信号的频率为 10kHz～12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用 滤波 电路 。 A．带阻 B．带通 C．低通 D．高通 12、在图 5 所示的单相桥式整流滤波电路中，已知变压器副边电压有效值V2为 10V，电容满 足RLC≥ (3～5)T/2（T为电网电压的周期）。若电容虚焊，则输出电压VO的平均值约 为 ；若有一只整流管和滤波电容C同时开路，则输出电压VO的平均值约 为 。 A． 14V B． 12V C． 9V D． 4.5V 第 2 页 共 4 页