影响化学位移的因素 1局部屏蔽( local shielding) 化合物 CHX CHaF CH,OH CH3 Br CHaI CH4 (CH,)4Si 元素xF0C1 BrIHSi X的电 负性 4.03.53.12.82.52.11.8 δ4.263.403.052.682.160.230 相邻基团或原子的电负性增大,屏蔽效应减弱, 氢核δ值增大。影响化学位移的因素 1.局部屏蔽（local shielding) 化合物 CH3 X CH3 F CH3 OH CH3 Cl CH3 Br CH3 I CH4 (CH3 )4 Si 元素X F O Cl Br I H Si X的电 负性 4.0 3.5 3.1 2.8 2.5 2.1 1.8 δ 4.26 3.40 3.05 2.68 2.16 0.23 0 相邻基团或原子的电负性增大，屏蔽效应减弱， 氢核δ值增大