●●● ●●●● 讨论题 ●●●●● ●●●● ●●●● ●●0 ·双极工艺和MOS工艺中的OCO隔离有什么嗟别; 为什么场区要注硼。 为什么早期的铝栅 MOSFET不是自对准结构,能 否用铝栅实现自对准结构。 MOSFET的硅栅和双极晶体管的多晶硅发射极有 什么差别。 先进的CMOS工艺为什么采用 n+硅栅NMOS和p+硅栅PMOS: 若NMOS用P+硅栅,PMOS用 n+硅栅是否可以。讨论题 z 双极工艺和MOS工艺中的LOCOS隔离有什么差别； 为什么场区要注硼。 z 为什 早期的铝栅 么 MOSFET不是自对准结构，能 否用铝栅实现自对准结构。 z MOSFET的硅栅和双极晶体管的多晶硅发射极有 什么差别。 z 先进的CMOS工艺为什么采用 n+硅栅NMOS和p+硅栅PMOS， 若NMOS用p+硅栅，PMOS用 n+硅栅是否可以