、半导体二极管: 二极管的伏安特性: +(m 正向 导通压降: 死区电压 硅管 硅管0.5V锗阮区0.6-0.7V锗 管0.IV。 5管0.20.3V U 反向击穿 电压UBR 反向 u 图22一、半导体二极管： 1.二极管的伏安特性: U+ (V) I 死区电压 硅管0.5V,锗 管0.1V。 导通压降: 硅管 0.6~0.7V,锗 管0.2~0.3V。 反向击穿 电压U(BR) 死区 电压 正向 反向 +(mA) I- (uA) U- (V) 图2.2.1