式中A是常数(硅为388×1016cm3K32锗为176×1016cm3K32 Ea是T=0K即-273C时的禁带宽度,室温下计算: 硅的N;=1.5×1010cm3锗的N;=24×1013cm3 而在金属导体中,自由电子浓度可达1022-1023cm3,相比之下 导电能力差,不能产生二极管、三极管所需的导电机制,必须 采取措施(如掺杂)。 杂质半导体 在本征半导体中,掺入一定量的杂质元素就成为杂质半导体, 分为N型和P型若掺入五价元素的杂质(磷、锑或砷),则是 N型半导体,若掺入三价元素(硼、镓、铟),则是P型半导 体式中A是常数（硅为3.88×1016cm-3K-3/2 锗为1.76 ×1016cm-3K-3/2 ） Eg0是T=0K即-273OC时的禁带宽度，室温下计算： 硅的 Ni =1.5 ×1010 cm-3 锗的Ni =2.4 ×1013 cm-3 而在金属导体中，自由电子浓度可达10221023 cm-3 ，相比之下 导电能力差， 不能产生二极管、三极管所需的导电机制，必须 采取措施（如掺杂）。 二、 杂质半导体 在本征半导体中，掺入一定量的杂质元素就成为杂质半导体， 分为N型和P 型若掺入五价元素的杂质（磷、锑或砷），则是 N型半导体，若掺入三价元 素（硼、镓、铟），则是P型半导 体