扬州扬杰电子科技股份有限公司2019年年度报告全文 提升性能,实现资源利用率与生产效率的双提高。 、公司积极推进IGBT新模块产品的研发进程,成功开发50A/75A/100A-1200V半桥规格的IGBT,贡 献持续稳定的销售额,是公司开拓工业领域重点变频器市场的关键举措:同时,完成了高压碳化硅产品的 开发设计。 C、公司持续扩充8寸MOS产品专项设计研发团队人员,研发设计能力得到持续增强。针对已形成批量 销售的 Trench MOSFET和 SGTMOS系列产品,大幅扩充其产品品类,实现销售规模与市场占有率的同步提 升。同时,与中芯集成电路制造(绍兴)有限公司签订战略合作协议,新增又一可紧密合作的晶圆代工厂 确保公司具有充足的代工产能资源。 报告期的主要研发项目如下 序号 项目名称 项目用途 进展情况 拟达到的目标 CJBS器件在服务器电源,充电桩和 200VSiC器件 SiC功率半导体器件开发、断能源汽车高转换效率特性成为下 决速实现规模销售额 开发成功,正逐步实现 产品研发 成国内市占率前三 代功率器件的发展方向。 量产 GBT是电力电子装置的CPU是最核 高性能 Trench FsIGBT芯 片开发成功正逐步快速实现规模销售额 心的部件,如何设计出高性能高可靠 片开发 实现量产 成国内市占率前三 的IGBT芯片是国内的短板。 征导通电阻达到110 mohm. mm2,接 屏蔽栅沟槽 MOS SGT 或达到国际同行公司最相近的5代 程批预计2020年5月 实现国内急需的国产替代 N15V5代技术 底产出 术水平。 寺征导通电阻达到35 mohm. mm2,接近 屏蔽栅沟槽 MOS SGT 达到国际同行公司最相近的5代技 晶圆已开发成功,正在 陕现国内急需的国产替代 N100V5代技术 量产 术水平。 圆己初步开发成功 屏蔽栅沟槽 MOS SGT 真补SGTP100VMOS国内空白。 在进行参数细节优化国实现国内急需的国产替代 P100V 以及转量产 OT23-6L封装已转 多芯片集成封装SOP、SO多芯片集成IC封装是行业发展趋势 紧跟同行脚步,开发多芯片 SOP8正在研发中 系列产品开发 计对不同客户,定制化满足客户要求 集成产品 预计5月份转产 国际同行样品分析已完提升我司TVS二极管雪崩 对标国际同行,借助国内高校科研力 7雪崩二极管能力提升 TVS改善样品雪崩能力,达到国际同行标杆水 量,提升我是雪崩二极管能力。 力验证中 8FG通讯行业 SMESMG大付接华为客户需求,开发满足G通讯样品打样进行中,预计大电流保护器件产品达到 电流保护器件开发 需求的大电流保护器件 中量产 国内领先水平 近三年公司研发投入金额及占营业收入的比例 2019年 018年 2017年 研发人员数量(人) 研发人员数量占比 25.31% 2369% 2683% chin乡 www.cninfocom.cn扬州扬杰电子科技股份有限公司 2019 年年度报告全文 22 提升性能，实现资源利用率与生产效率的双提高。 B、公司积极推进IGBT新模块产品的研发进程，成功开发50A/75A/100A-1200V半桥规格的IGBT，贡 献持续稳定的销售额，是公司开拓工业领域重点变频器市场的关键举措；同时，完成了高压碳化硅产品的 开发设计。 C、公司持续扩充8寸MOS产品专项设计研发团队人员，研发设计能力得到持续增强。针对已形成批量 销售的Trench MOSFET和SGT MOS系列产品，大幅扩充其产品品类，实现销售规模与市场占有率的同步提 升。同时，与中芯集成电路制造（绍兴）有限公司签订战略合作协议，新增又一可紧密合作的晶圆代工厂， 确保公司具有充足的代工产能资源。 报告期的主要研发项目如下： 序号 项目名称 项目用途 进展情况 拟达到的目标 1 SiC功率半导体器件开发、 产品研发 SiC JBS器件在服务器电源，充电桩和 新能源汽车高转换效率特性成为下一 代功率器件的发展方向。 650V/1200V SiC 器件 开发成功，正逐步实现 量产 快速实现规模销售额 完成国内市占率前三 2 高性能 Trench FsIGBT芯 片开发 IGBT是电力电子装置的CPU 是最核 心的部件，如何设计出高性能高可靠 性的IGBT芯片是国内的短板。 芯片开发成功 正逐步 实现量产 快速实现规模销售额 完成国内市占率前三 3 屏蔽栅沟槽MOS SGT N150V 5代技术 特征导通电阻达到110mohm.mm2，接 近或达到国际同行公司最相近的5代 技术水平。 工程批预计2020年5月 底产出 实现国内急需的国产替代 4 屏蔽栅沟槽MOS SGT N100V 5代技术 特征导通电阻达到35mohm.mm2，接近 或达到国际同行公司最相近的5代技 术水平。 晶圆已开发成功，正在 转量产 实现国内急需的国产替代 5 屏蔽栅沟槽MOS SGT P100V 填补SGT P100V MOS国内空白。 晶圆已初步开发成功， 正在进行参数细节优化 以及转量产 实现国内急需的国产替代 6 多芯片集成封装SOP、SOT 系列产品开发 多芯片集成IC封装是行业发展趋势， 针对不同客户，定制化满足客户要求 SOT-23-6L封装已转 产，SOP-8正在研发中 预计5月份转产 紧跟同行脚步，开发多芯片 集成产品 7 雪崩二极管能力提升 对标国际同行，借助国内高校科研力 量，提升我是雪崩二极管能力。 国际同行样品分析已完 成，TVS改善样品雪崩 能力验证中 提升我司TVS二极管雪崩 能力，达到国际同行标杆水 平 8 5G通讯行业SME/SMG大 电流保护器件开发 对接华为客户需求，开发满足5G通讯 需求的大电流保护器件 样品打样进行中，预计 年中量产 大电流保护器件产品达到 国内领先水平 近三年公司研发投入金额及占营业收入的比例 2019 年 2018 年 2017 年 研发人员数量（人） 634 605 520 研发人员数量占比 25.31% 23.69% 26.83%