中国科大大一新生《科学与社会》研讨课 《反物质世界的探索？014/11/30 Pore diameter (nm] Open Porosity e 100 ●Ps在室温下的速率为8 ×106cm/5,在寿命期内 a 在直径为5-10nm的介孔 内可以有1-2×105次碰 46810121416 ●Ps可以容易地扩散回到 Other Methods 真空表面，大部分的Ps 厘灭发生在表面真空 Comparison on PALS technique with other methods (142ns. 开介孔 Closed Porosity ●典型的开介孔寿命谱 ●一个较短寿命(s0.5ns)的 特征峰来自 正电子或 Ps在介孔和块体上的湿 灭： ●另一个长寿命分量占(35 a porous silica film ,40%) Capped Porosity o ns. 鑫明精 ●多普勒展宽 aE■12k,c 0 0 0000 1200 Time(ns) A Cu-capped porous silica film:35ns and 3.5 ns; Oxide-capped silica film 94 ns; This reduction of the Ps lifetime is almost certainly due to Cu E=12k,c coating on the inner pore surfaces where Ps annihilation would be enhanced by the high density of free electrons in Cu. 1W四 中国科大物理学院叶邦角教授主讲 版权所有，禁止传播 82014/11/30 8 Comparison on PALS technique with other methods 2014/11/30 Open Porosity  Ps 在室温下的速率为8  106 cm/s, 在寿命期内 在直径为5-10nm的介孔 内可以有1-2  106次碰 撞.  Ps 可以容易地扩散回到 真空表面, 大部分的Ps 湮灭发生在表面真空 (142 ns). 2014/11/30  典型的开介孔寿命谱.  一个较短寿命(<0.5 ns )的 特征峰来自于正电子或 Ps 在介孔和块体上的湮 灭;  另一个长寿命分量占 (35 - 40%). a porous silica film  长寿命分量的拟合值是 140 ns ,即在真空中湮灭. 表明介孔内部是高度连 通, Ps 可以容易扩散到真 空表面. 开介孔 2014/11/30 Closed Porosity Capped Porosity 2014/11/30  A Cu-capped porous silica film : 35ns and 3.5 ns;  Oxide-capped silica film : 94 ns;  This reduction of the Ps lifetime is almost certainly due to Cu coating on the inner pore surfaces where Ps annihilation would be enhanced by the high density of free electrons in Cu. 2014/11/30 多普勒展宽 2014/11/30 中国科大大一新生《科学与社会》研讨课 《反物质世界的探索》 中国科大物理学院叶邦角教授主讲 版权所有，禁止传播 叶邦角主机