电子披术 15.12N型半导体和P型半导体 dianzi >3》>飞O 掺入三价元素 g③的③显空穴掺杂后空穴数目大量 KAY 增加,空穴导电成为这 X B Si 种半导体的主要导电方 式,称为空穴半导体或 了N 硼原子 P型半导体。 接 在P型半导体中空穴是多 电子变为 数载流子,自由电子是少数 负离 载流子。 无论N型或P型半导体都是中性的,对外不显电性。 总目录章目录返回一页下一页总目录 章目录 返回 上一页 下一页 15.1.2 N型半导体和 P 型半导体 掺杂后空穴数目大量 增加，空穴导电成为这 种半导体的主要导电方 式，称为空穴半导体或 P型半导体。 掺入三价元素 Si Si Si Si 在 P 型半导体中空穴是多 数载流子，自由电子是少数 载流子。 B– 硼原子 接受一个 电子变为 负离子 空穴 F:\PN结 无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性