(2)定义 “0”:c无电荷,电平v0(低) “1”:有电荷,电平V1(高) (3)工作 写入:乙加高电平,T导通,在W上加高/低电平,写1/0 读出:W先预充电,断开充电回路。 z加高电平,T导通,根据W线电位的变化,读10 (4)保持 z:加低电平,T截止,该单元未选中,保持原状态。 单管单元是破坏性读出,读出后需重写。 3存储芯片 例.DRAM芯片2164(64K×1位) 外特性:3.存储芯片 （2）定义 （4）保持 写入：Z加高电平，T导通，在W上加高/低电平，写1/0。 读出：W先预充电， 根据W线电位的变化，读1/0。 断开充电回路。 Z：加低电平，T截止，该单元未选中，保持原状态。 单管单元是破坏性读出，读出后需重写。 “0”：C无电荷，电平V0（低） C W Z T 外特性： “1”：C有电荷，电平V1（高） （3）工作 Z加高电平，T导通， 例.DRAM芯片2164（64K×1位）