作业习避 第七章光电转换器件 15、在太阳能电池的伏安特性曲线中， (1)“光电压区域”和“光电流区域”如何定义？ (2)用光电池探测缓变光信号时，应工作在哪个区域？ 16、(1)PN管和普通PN结光电二极管相比在结构上有何区别？ (2)简述PN管、雪崩光电二极管的工作原理。 (3)它们和普通的PN结光电二极管相比，性能有哪些改蕃？ (4)PIN管的频率特性为什么比普通光电二极管好？ 17、2CU型和2DU型光电二极管在结构上由何区别？2DU型引入环极的作用是 什么？ 18、(1)简述光电倍增管的工作原理。 (2)光电倍增管的“阳极灵敏度”、“阴极灵敏度”、“放大倍数”如何定义？ 19、现有GDB-433型光电倍增管，其光电阴极的面积为2cm2,阴极灵敏度 Sx=254/lm,倍增系统的放大倍数为10，阳极额定电流为20u4,求允许的 最大光照。 20、用波长为0.633m的单色辐射照射2CU硅光电二极管，入射光功率为2mW, 输出光电流为0.6mA,求光电二极管的响应度和量子效率。 21、(1)己知硅PIN光电二极管的量子效率n=0.7,波长2=0.85m,求其响 应度。 (2)已知锗PN光电二极管的量子效率n=0.4,波长元-1.6m,求其响应 度。 22、光电倍增光的光阴极灵敏度为504/1m,每一个倍增极的二次电子收集率为 80%,二次电子发射系数σ=6，共有11级，求阳极灵敏度。（令∫≈1） 23、制作探测波长为0.9m的光电二极管，相应的半导体材料的禁带宽度是多少 电子伏特？ 24、某APD的工作波长为1.55m,量子效率为0.75，平均倍增因子G=30。当每 秒有102个光子入射时，计算APD的探测输出光电流。 25、用光子能量为1.5eV、功率为2mW的光照射硅光电池。己知光敏面反射系 数为0.25，量子效率n=1,并设全部光电载流子都能够到达电极。求光生电 流。若反向饱和电流为10A,求T=300K时的开路电压。 26、以双列两相表明沟道CCD为例，简述CCD电荷产生、存储、转移、输出 的基本原理。作业习题 第七章 光电转换器件 15、在太阳能电池的伏安特性曲线中， （1） “光电压区域”和“光电流区域”如何定义？ （2） 用光电池探测缓变光信号时，应工作在哪个区域？ 16、（1）PIN 管和普通 PN 结光电二极管相比在结构上有何区别？ （2）简述 PIN 管、雪崩光电二极管的工作原理。 （3）它们和普通的 PN 结光电二极管相比，性能有哪些改善？ （4）PIN 管的频率特性为什么比普通光电二极管好？ 17、2CU 型和 2DU 型光电二极管在结构上由何区别？2DU 型引入环极的作用是 什么？ 18、（1）简述光电倍增管的工作原理。 （2）光电倍增管的“阳极灵敏度”、“阴极灵敏度”、“放大倍数”如何定义？ 19、现有GDB-433 型光电倍增管，其光电阴极的面积为 2cm2 ，阴极灵敏度 lmASK = μ /25 ，倍增系统的放大倍数为 105 ，阳极额定电流为 20 μA ，求允许的 最大光照。 20、用波长为 0.633 μm的单色辐射照射 2CU 硅光电二极管，入射光功率为 2mW， 输出光电流为 0.6mA，求光电二极管的响应度和量子效率。 21、（1）已知硅 PIN 光电二极管的量子效率η = 7.0 ，波长λ = 85.0 μm，求其响 应度。 （2）已知锗 PIN 光电二极管的量子效率η = 4.0 ，波长λ = 6.1 μm，求其响应 度。 22、光电倍增光的光阴极灵敏度为 μ /50 lmA ，每一个倍增极的二次电子收集率为 80%，二次电子发射系数σ = 6，共有 11 级，求阳极灵敏度。（令 ） f ≈ 1 23、制作探测波长为 0.9 μm的光电二极管，相应的半导体材料的禁带宽度是多少 电子伏特？ 24、某APD的工作波长为 1.55 μm，量子效率为 0.75，平均倍增因子G=30。当每 秒有 1012个光子入射时，计算APD的探测输出光电流。 25、用光子能量为 1.5eV、功率为 2mW的光照射硅光电池。已知光敏面反射系 数为 0.25，量子效率η = 1，并设全部光电载流子都能够到达电极。求光生电 流。若反向饱和电流为 10-8A，求T=300K时的开路电压。 26、以双列两相表明沟道 CCD 为例，简述 CCD 电荷产生、存储、转移、输出 的基本原理。 2