2、迁移率 假设讨论的是n型半导体,电子浓度为0 在外电场下通过半导体的电流密度 在弱场下欧姆定律成立 v。→电子的平均漂移速度1=E—() 二式比较则Gn=nE/=n9—→)( 这里迁移率n=(4 E 同理,对半导体P一 这里空穴迁移、E%为空穴漂移速度 迁移率的豪义:表了在单位电场下载游子的平均移荣度。 它是表示半导体电迁移能力的重要参数( ) ⎯→电子的平均漂移速度 = − ⎯→ d 0 d v J n n qv 1 J E (2) n = n ⎯→ 在弱场下欧姆定律成立 2、迁移率 假设讨论的是n型半导体，电子浓度为n0， 在外电场下通过半导体的电流密度 ( ) (4) v 3 v , d 0 d 0 = ⎯→  = ⎯→      = E n q E n q n n n    这里 迁移率 二式比较 则 同理，对p型半导体 ( ) 这里空穴迁移率 d p为空穴漂移速度 d p 0 , v v 5 E p q p p p = = ⎯→    迁移率的意义：表征了在单位电场下载流子的平均漂移速度。 它是表示半导体电迁移能力的重要参数