3.8.1对相控触发电路的基本要求 I。A 晶闸管的门极伏安特性 GFM G 4图a为订极伏安特性区域,0为低阻特性, 0G为高阻特性。图(b)为图(a)中0ABC0的放 大图形 FLsw 0HI0区域为不触发区:当晶闸管门极施 F 加的触发电压,电流在该范围内时,任 何合格的晶闸管元件都不会被触发,从 而确定了晶闸管的抗干扰性能。 0 24068UmU/V (a ABCJIHA区域为不可靠触发区:当晶 B闸管门极施加的触发电压,电流在该 区域时,有的晶闸管可以触发开通, D 有的则不能触发开通。因此,触发电 路产生的触发信号也不应该落在该区 域中 晶闸管门极伏安特性3.8.1 对相控触发电路的基本要求 一.晶闸管的门极伏安特性 D E K B C 1 2 G L F A 0 3 2 4 6 8 GFM I I G A UGFM PGM =15W GT I UGT UG V 0 GT I UGT A B C GD I H I J (a) (b) UGD 晶闸管门极伏安特性 图(a)为门极伏安特性区域，0D为低阻特性， 0G为高阻特性。图(b)为图(a)中0ABC0的放 大图形。 0HIJ0区域为不触发区：当晶闸管门极施 加的触发电压，电流在该范围内时，任 何合格的晶闸管元件都不会被触发，从 而确定了晶闸管的抗干扰性能。 ABCJIHA区域为不可靠触发区：当晶 闸管门极施加的触发电压，电流在该 区域时，有的晶闸管可以触发开通， 有的则不能触发开通。因此，触发电 路产生的触发信号也不应该落在该区 域中。 K G A