空穴的运动 束缚电子填补空穴的运动 称空穴的运动。 4)_ 半导体中有两种载流子: 自由电子和空穴。 4)o(+4+4) 半导体中的电流是 电子流和空穴流之和 在本征半导体中, 硅原子的价电子比锗离核自由电子数总等于空穴数, 近,受原子核束缚力较大且浓度低,导电能力差。 ,在同样温度下本征激发本征激发产生的载流子浓度 较小,温度稳定性较好。随温度增加急剧增大。5 空穴的运动 半导体中有两种载流子： 自由电子和空穴。 半导体中的电流是 电子流和空穴流之和。 在本征半导体中， 自由电子数总等于空穴数， 且浓度低，导电能力差。 束缚电子填补空穴的运动 称空穴的运动。 硅原子的价电子比锗离核 近，受原子核束缚力较大 ，在同样温度下本征激发 较小，温度稳定性较好。 本征激发产生的载流子浓度 随温度增加急剧增大