纳米电子材料与器件 图1.3.5利用STM技术将Xe原子排列成“IBM”字符 NANOTECHNOLOGY Research 图1.3.6纳米专业刊物 1991年日本NEC的 S lijima在电镜下发现碳纳米管,随后人们致力于长短不一、排列取 向、单壁和多壁的各种生长控制技术研究,由此,掀起了碳的应用热潮,大有取代支撑了半个 世纪微电子的硅材料的趋势。迄今,STM的发明和碳纳米管的发现,这两项最重大的进展极 大地加快了纳米技术的研究步伐。图1.3.7为单壁和多壁碳纳米管。 iQ的 (a)单壁管 (b)多壁管 图1.3.7单壁和多壁碳纳米管 1998年荷兰 Delft理工大学的 Ceec Dekker研究小组发明了碳纳米晶体管。如图1.3.7 和图1.3.8所示,在场碳纳米管(CNT)形成的效应晶体管(FET)结构上加电压可以控 制沟道电子的运动,有明显的ⅠV变化