记录介质 10.3磁性能的应用 记录微盘上环氧 酚醛树脂包的 rFe2O3针状粒 子(8000x 存储密度 1.5 xls bit/mm2 CoPtEr磁记录薄膜的透射电镜照片(500,000×) 存储密度:3.0x10° bit/mm2 超导现象 临昇温度、临界电流密度与临界磁场强度 J(I=0K,H=0) 阻率与温度的关系 H(T=0K,J=0) 0 IC Temperature(K) TemperatureT TH=, J-o7 10.3 磁性能的应用 信号输入 写 读 信号输出 记录介质 磁头 间隙 宽 度 记录磁盘上环氧 酚醛树脂包裹的 γ-Fe2O3 针状粒 子(8000×) 存储密度： 1.5 ×105 bit/mm2 CoPtCr 磁记录薄膜的透射电镜照片(500,000×) 存储密度：3.0 ×106 bit/mm2 Electrical resistivity Temperature (K) Superconductor Normal metal 0 Tc 0 电 阻 率 与 温 度 的 关 系 超导现象 Current density J JC(T=0K, H=0) HC(T=0K, J=0) TC(H=0, J=0) Temperature T Magnetic field H 临界温度、临界电流密度与临界磁场强度