中国科学技术大学物理系微电子专业 §3.1 晶体管的基本原理 1、基本结构及其杂质分布 基本结构 由两个P-N结共用一个基区组成的 在两个结中，一个叫发射结，一个叫集电 结。中间区域就叫基区，而另两个区与结 相对应的被称作发射区和集电区 器件具有三个电极端子，分别称作发射极， 基极和集电极 Principle of Semiconductor Devices 2023/5/2中国科学技术大学物理系微电子专业 2023/5/2 Tuesday 7 §3.1 晶体管的基本原理 1、基本结构及其杂质分布 • 基本结构 由两个P-N结共用一个基区组成的。 在两个结中，一个叫发射结，一个叫集电 结。中间区域就叫基区，而另两个区与结 相对应的被称作发射区和集电区。 器件具有三个电极端子，分别称作发射极， 基极和集电极。 Principle of Semiconductor Devices