(H3 /《20) 图21 a :⊙◇⊙ 0日9 000 N 图22六个<110>方向上的棱柱位错环列 五、結 論 1、氢气氛区熔硅单晶的热处理缺陷主要是由氢沉淀造成的。沉淀过程可能首先是 Si-H键分解，然后是氢的扩散聚集。沉淀过程的激活能约2.4cV(56000卡/克分子)，它 可能是Si-H键的分解激活能。沉淀物的析出面是{111}晶面，几何形态起始是近似的园 球，然后变成扁椭球，最后是沿<220>方向拉长的片状物。 2、随着沉淀物的长大，在一定温度下（约600~700°C),会在沉淀物周围发射稜柱 位错环。稜柱位错环的分布形态1热处理温度有关，高温热处理时，沉淀物周围能发射出高 对称的多组稜柱位错环。稜柱位错的稜柱面是111}品面，柏氏矢量<110>，位错环 的发射方向是<110>方向，位错线的方向是<112>方向。 3、沉淀物周围的应力场是造成异常化学腐蚀现象，形成凹坑的主要原因。 179暴醒鬓翻 “ ‘” 宕 ， 图 卜 卜 一一十 图 六 个 方 一向上 的棱 柱位 错环 列 五 、 桔 谕 、 氢气氛 区熔 硅单 晶的 热 处理 缺陷 主 要是 由氢 沉淀造 成的 。 沉淀 过 程 可 能 首先是 一 键 分解 ， 然后是 氢的 扩散聚 集 。 沉淀过 程 的激 活能 约 卡 克分子 ， 它 一 可能是 一 键 的 分解激活能 。 沉淀物 的析 出 面 是 晶面 ， 几何形态 起始 是近似 的 园 球 ， 然后 变 成扁椭球 ， 最 后是 沿 方 向拉长 的片状 物 。 、 随着 沉淀物的长 大 ， 在 一 定温 度下 约 、 ， 会在 沉淀物周 围 发射棱柱 位错环 。 棱 柱位错环 的 分布形态 和 热 处理 温 度 有关 ， 高 温热 处理 时 ， 沉淀 物周 围能 发射 出高 对衬 的 多“生棱柱位 错环 · 棱 柱位全昔的 棱柱 面 是 “ ‘ ， 晶正 ， 柏氏矢 量 霎 “ ， 位 错 月 、 的发射方 向是 功 方 向 ， 位 错 线 的方 向是 方 向 。 、 沉淀 物周 围 的应 力场是造 成异 常 化学 腐 蚀现 象 ， 形 成 凹 坑 的主 要原 因