四、PN结的伏安特性 u>0,称为正向特性; u<0,称为反向特性; 当反向电压大于UB 后,反向电流急剧增加,称 为反向击穿。 在高掺杂情况下,耘尽 层很窄,不大的反向电压可 在耗尽层产生很大的电场, 图11.10 直接破坏共价键,产生电子 空穴对,称为齐纳击穿;如果掺杂浓度较低,当 反向电压较大时,耗尽层的电场使少子加快漂移 速度,把价电子撞出共价键,产生电子空穴对 又撞出价电子,称为雪崩击穿。在击穿时,若不 限制电流,则会造成永久性损坏。四、PN结的伏安特性 图1.1.10 u＞0,称为正向特性； u＜0,称为反向特性； 当反向电压大于U(BR) 后，反向电流急剧增加，称 为反向击穿。 在高掺杂情况下，耗尽 层很窄，不大的反向电压可 在 耗尽层产生很大的电场， 直接破坏共价键，产生电子- 空穴对，称为齐纳击穿；如果掺杂浓度较低，当 反向电压较大时，耗尽层的电场使少子加快漂移 速度，把价电子撞出共价键，产生电子-空穴对， 又撞出价电子，称为雪崩击穿。在击穿时，若不 限制电流，则会造成永久性损坏