授课教案 第五章光辐射的探测 光电导效应：由光照激发新产生的电子一空穴对增加了原来半导体材料中载 流子的数目。载流子数目的增加伴随者半导体中电导率的增加 (电导率和载流子数目成正比)，电导率的增加使其电阻率变 小，从而造成电阻阻值下降。 导带 ◆◆000 h>E E ◆◆◆◆童兰价带 00◆◆◆◆ 图5.9光电导效应示意图 光辐射端电压为V的半导体，若波长满足 m≤元“体面7 (e条质 1.24 (5.5) 光辐射每秒钟激发的电子一空穴对数N可表示为 4n=N (5.6) =abc 则半导体电导率的增量△。可表示为 △o=e(△n4n+p4n） (5.7) 半导体材料的电阻变为 R:=(G+△o)A (5.8) (2)光伏效应 光伏效应：光照零偏N结产生开路电压。 图5.10光生伏特效应示意图 授课教案 第五章 光辐射的探测 光电导效应：由光照激发新产生的电子—空穴对增加了原来半导体材料中载 流子的数目。载流子数目的增加伴随着半导体中电导率的增加 （电导率和载流子数目成正比），电导率的增加使其电阻率变 小，从而造成电阻阻值下降。 图 5.9 光电导效应示意图 光辐射端电压为 V 的半导体，若波长满足 )( )( 24.1 )( )( 24.1 )( 本征 杂质 eVE eVE m g i λμλ c =≤ = （5.5） 光辐射每秒钟激发的电子—空穴对数 可表示为 N ⎪ ⎩ ⎪ ⎨ ⎧ ⋅= ⋅= p n abc N p abc N n τΔ τΔ （5.6） 则半导体电导率的增量Δσ 可表示为 ( n += ΔΔΔ pne μμσ p ) （5.7） 半导体材料的电阻变为 A l Rd + Δσσ )( = （5.8） （2） 光伏效应 光伏效应：光照零偏 PN 结产生开路电压。 图 5.10 光生伏特效应示意图 6