2.4.1TTL门电路 (1)TTL反相器工作原理 A)输入低电平(0.3V) T1发射结导通,Vb1被钳位1.0V RI R4 b1 4g2 1309 4K 4 lmA Vb4 T4 CC bs 1 T2 R (h) C Ra1=16K+T2bc结反相电阻 0,I bs1 b1 bs 1 T反相器典型电路 T处于深度饱和状态 V.=0.1+0.3=0.4VT1发射结导通，Vb1被钳位1.0V =1mA 4 5 1 = 4K V V i = cc b1 b1 - - c结反相电阻 β R =1 6K + T b R V i = C1 2 C1 CC bs1 . , I 0, bs1 ≈ b1 bs1 I >> I T1处于深度饱和状态 V c1 = 0.1 + 0.3 = 0.4V 2.4.1 TTL门电路 （1）TTL反相器工作原理 A）输入低电平（0.3V） TTL反相器典型电路 kW R 4 1 kW R 1.6 2 130W R4 V Vcc + 5 (Vi) A kW R 1 3 D1 D2 T1 T 2 T4 T5 (Vo) Y Vb1 Vb2 Vb4 Vb5