各种技术数据均为一般产品的平均数据,与各公司生产的各品种的集成电路实际情况有可能不完全 相同。因而具体选用时,还需查更详细的资料。 ②电源电压 TTL类型的标准工作电压都是+5V,其他逻辑器件的工作电压一般都有较宽的允许范围。特别是MOs 器件,如CMOS中的4000B系列可以工作在3~18V:PMOS一般可工作在10~24V: HCMOS系列为2 6V。另外,在使用各种器件组成系统时,要注意各种相互连接的器件必须使用同一电源电压,否则,就可 能不满足0,1(或L、H)电平的定义范围,而造成工作异常。 ③单门平均延时 单门平均延时是指门传输延迟时间的平均值td,它是衡量电路开关速度的一个动态参数,用以说明 一个脉冲信号从输入端经过一个逻辑门,再从输出端输出要延迟多少时间。把输出电压下降边的50%对于 输入电压上升边的50%的时间间隔称为导通延迟时间,即HL,把输出电压上升边的50%对于输入电压 下降边的50%的时间间隔称为关闭延迟时间,即#PLH,平均延迟时间td定义为:td=(tPHL+PLH/2 如TL与非门,一般要求td=10~40ns之间,通常把td为40~160ns的称为低速集成电路,15~ 40ns的称为中速集成电路,6~15ns的称为高速集成电路,tpds6ns的称为甚高速集成电路。由表可见 ECL的速度最高,而PMOS的速度最低 ④单门静态功耗 单门静态功耗是指单门的直流功耗,它是衡量一个电路质量好坏的重要参数。静态功耗等于工作电 源电压及其泄漏电流的乘积,一般说静态功耗越小,电路的质量越好,由表中可知CMOS电路静态功耗是 极微小的,因此对于一个由CMoS器件组成的工作系统来说,静态功耗与总功耗相比常可以忽略不计 ⑤速度·功耗积(SP) 速度·功耗积(SP)也叫时延·功耗积,它是衡量逻辑集成电路性能优劣的一个很重要的基本特征参 数。不论何种数字集成电路,其平均延迟时间都要受到消耗功率的制约。一定形式的数字逻辑电路,其消 耗功率的大小约反比于平均延时,因此,一般用每门(电路)的平均延迟时间td与功耗P的乘积来表征 数字集成电路的优劣,这个乘积就是速度功耗(SP),即SP=tpdP。式中SP的单位为pJ(皮焦耳) td的单位为ns,Pd的单位为mw。通常,S尸越小,电路性能越好。在选用电路时,S尸是一个需要考 虑的重要参数。但一般不能仅仅依据S尸来选择,还必须根据实际情况,同时兼顾速度(或功耗),抗 扰性能和价格等因素 ⑥直流噪声容限 直流噪声容限又称抗干扰度,它是度量逻辑电路在最坏工作条件下的抗干扰能力的直流电压指标 该电压值常用WNM表示或WNL及WH表示。它是指逻辑电路输入与输出各自定义1电平和0电平的差 值大小,T类电路只能用5V电源,输入1电平定义为≥2V,0电平定义为≤0.8V,输出电平定义是1电 平≥27V,0电平≤04V,所以1电平的WH=27V2v=0.7V,0电平的WNL=08?04V=04V。对ECL类 来说,电源多用?52V,WNH=?1?(?11)=0.1V,WNL=?1.5?(?16)=0.1V。CMOS及 HCMOS可以在很宽 的范围内工作,输出电平接近电源电压范围,而输入电平范围不论1电平还是0电平,均可达到45%VCC 也就是WNM≈45%V℃C,最低限度可以达到WNL≥19%VC,WNH29%VC。VC越高则噪声容限也越 大,也即vcC高则抗干扰能力强 ⑦扇出能力各种技术数据均为一般产品的平均数据，与各公司生产的各品种的集成电路实际情况有可能不完全 相同。因而具体选用时，还需查更详细的资料。 ② 电源电压 TTL 类型的标准工作电压都是+5V，其他逻辑器件的工作电压一般都有较宽的允许范围。特别是 MOS 器件，如 CMOS 中的 4000B 系列可以工作在 3～18V；PMOS 一般可工作在 10～24V；HCMOS 系列为 2～ 6V。另外，在使用各种器件组成系统时，要注意各种相互连接的器件必须使用同一电源电压，否则，就可 能不满足 0，1（或 L、H）电平的定义范围，而造成工作异常。 ③ 单门平均延时 单门平均延时是指门传输延迟时间的平均值 tpd，它是衡量电路开关速度的一个动态参数，用以说明 一个脉冲信号从输入端经过一个逻辑门，再从输出端输出要延迟多少时间。把输出电压下降边的 50％对于 输入电压上升边的 50％的时间间隔称为导通延迟时间，即 tPHL，把输出电压上升边的 50％对于输入电压 下降边的 50％的时间间隔称为关闭延迟时间，即 tPLH，平均延迟时间 tpd 定义为：tpd=(tPHL+tPLH)/2。 如 TTL 与非门，一般要求 tpd=10～40ns 之间，通常把 tpd 为 40～160ns 的称为低速集成电路，15～ 40ns 的称为中速集成电路，6～15ns 的称为高速集成电路，tpd≤6ns 的称为甚高速集成电路。由表可见， ECL 的速度最高，而 PMOS 的速度最低。 ④ 单门静态功耗 单门静态功耗是指单门的直流功耗，它是衡量一个电路质量好坏的重要参数。静态功耗等于工作电 源电压及其泄漏电流的乘积，一般说静态功耗越小，电路的质量越好，由表中可知 CMOS 电路静态功耗是 极微小的，因此对于一个由 CMOS 器件组成的工作系统来说，静态功耗与总功耗相比常可以忽略不计。 ⑤ 速度·功耗积（S·P） 速度·功耗积（S·P）也叫时延·功耗积，它是衡量逻辑集成电路性能优劣的一个很重要的基本特征参 数。不论何种数字集成电路，其平均延迟时间都要受到消耗功率的制约。一定形式的数字逻辑电路，其消 耗功率的大小约反比于平均延时，因此，一般用每门（电路）的平均延迟时间 tpd 与功耗 Pd 的乘积来表征 数字集成电路的优劣，这个乘积就是速度·功耗（S·P），即 S·P=tpd·Pd。式中 S·P 的单位为 pJ（皮焦耳）， tpd 的单位为 ns，Pd 的单位为 mw。通常，S·P 越小，电路性能越好。在选用电路时，S·P 是一个需要考 虑的重要参数。但一般不能仅仅依据 S·P 来选择，还必须根据实际情况，同时兼顾速度（或功耗），抗干 扰性能和价格等因素。 ⑥ 直流噪声容限 直流噪声容限又称抗干扰度，它是度量逻辑电路在最坏工作条件下的抗干扰能力的直流电压指标。 该电压值常用 VNM 表示或 VNL 及 VNH 表示。它是指逻辑电路输入与输出各自定义 1 电平和 0 电平的差 值大小，TTL 类电路只能用 5V 电源，输入 1 电平定义为≥2V，0 电平定义为≤0.8V，输出电平定义是 1 电 平≥2.7V，0 电平≤0.4V，所以 l 电平的 VNH=2.7V-2V=0.7V，0 电平的 VNL=0.8V?0.4V=0.4V。对 ECL 类 来说，电源多用?5.2V，VNH≈?1?(?1.1)=0.1V，VNL≈?1.5?(?1.6)=0.1V。CMOS 及 HCMOS 可以在很宽 的范围内工作，输出电平接近电源电压范围，而输入电平范围不论 1 电平还是 0 电平，均可达到 45％VCC， 也就是 VNM≈45％VCC，最低限度可以达到 VNL≥19％VCC，VNH≥29％VCC。VCC 越高则噪声容限也越 大，也即 VCC 高则抗干扰能力强。 ⑦ 扇出能力