浙大学电气程学院 电力电子技术基础 第一章功率半导体器件 二.晶闸管门极伏安特性 低阻 GFM :门极正向峰电流 Uc:门极正向峰电压 PGM IGFM PoM:门极峰值功率 PG:门极平均功率 确保触发:I2>lapU>Ur UG1 UGFM 加反压<10V,防止误触发 分散性采用区域表示法 9浙江大学电气工程学院 -电力电子技术基础- 9 第一章 功率半导体器件 ⚫ 二. 晶闸管门极伏安特性 IGFM ：门极正向峰电流 UGFM：门极正向峰电压 PGM ：门极峰值功率 PG：门极平均功率 确保触发：Ig > IGT, Ug > UGT 加反压< 10Ｖ，防止误触发 分散性 采用区域表示法