3、导体外紧靠导体表面附近的场强 导体表面外附近的场强与该处表面的电荷面密度成正比: E s「0>0,E个个n,⊥表面向外; σ<0,E付五,⊥表面指向导体。 证明:由静电平衡条件,表面附近场强垂直导体表面, 乐45E45+mn4S E·dS 侧面 O△S E EdS=E as 底 △S 十 0 0 青島科抆大学粉理窦验中心 祝卫堃青岛科技大学物 理 实验中心 祝卫堃 E n   0   =  0 , E  n ,⊥    表面向外；  0 , E  n ,⊥    表面指向导体。 证明: 0    E = S E  由静电平衡条件， 表面附近场强垂直导体表面， E n   0    =  d d d d      =  +  +  下 底 侧 面 内 上 底 E S E S E S E S S          Δ 0   S =  E dS = E ΔS = 上底 3、导体外紧靠导体表面附近的场强 •导体表面外附近的场强与该处表面的电荷面密度成正比：