采用CMOS管构成的模拟开关： VI VG 用两个导电沟道互补的MOS管接成的开关，即N沟道 EMOS管两端并接P沟道EMOS管作为开关使用，称为CMOS 开关。 对T管：衬底接在电路中，最低电位-5V上，栅极控制电压 为vG 对T,管：衬底接在电路中，最高电位+5V上，栅极控制电压 为vG G与。的极性相反，大小相同。 采用CMOS管构成的模拟开关： T2 T1 vG vO vI RL a b -5V +5V vG 用两个导电沟道互补的MOS管接成的开关，即N沟道 EMOS管两端并接P沟道EMOS管作为开关使用，称为CMOS 开关。 对T1 管：衬底接在电路中，最低电位-5V上，栅极控制电压 为vG 对T2 管：衬底接在电路中，最高电位+5V上，栅极控制电压 为 vG vG 与 vG 的极性相反，大小相同