点击下载:三峡大学:《电子技术基础 Fundamental of Electronic Technology》课程教学资源(PPT课件讲稿)第一章 常用半导体器件
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113PN结 空穴负离子正离子自由电子 PN结的形成 ⊙Oo)/⑥ OOQ⑥⑥⑥ 浓度差扩散运动 复合空间电荷区 空间电荷区 内电场漂移运动 多子扩散=少子漂移 达到动态平衡,形成 结 P区 N区 在空向电荷区内自 由电子和空穴都很少, 所以称为耗尽层。 图1151.1.3 PN 结 一、 PN结的形成 图1.1.5 浓度差 —扩散运动 复 合 —空间电荷区 内电场 —漂移运动 多子扩散 =少子漂移 达到动态平衡,形成 PN结。 在空间电荷区内自 由电子和空穴都很少, 所以称为耗尽层
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