NPN型BJT结构 当两块不同类型的半导体结合在一起时，交界处就会形成PN结。 BJT有两个PN结：发射区与基区交界处的PN结称为发射结，集 电区与基区交界处的PN结称为集电结，两个PN结通过很薄的基 区联系。 在N型硅片氧化膜上光刻一个窗口，进行硼杂质扩散，获得P型 基区，再在P型半导体上光刻一窗口，进行高浓度的磷扩散，获 得N型发射区，表面是一层二氧化硅保护层，N型衬底用作集电 极。 大部分NPN型硅BJT都属于这种结构。 44 NPN型BJT结构 ™ 当两块不同类型的半导体结合在一起时，交界处就会形成PN结。 BJT有两个PN结：发射区与基区交界处的PN结称为发射结，集 电区与基区交界处的PN结称为集电结，两个PN结通过很薄的基 区联系。 ™ 在 N型硅片氧化膜上光刻一个窗口，进行硼杂质扩散，获得 P 型 基区，再在 P型半导体上光刻一窗口，进行高浓度的磷扩散，获 得 N型发射区，表面是一层二氧化硅保护层， N型衬底用作集电 极。 ™ 大部分NPN型硅BJT都属于这种结构