第二章电感电容压控振荡器 位噪声的定义为Hz内单边带噪声谱密度与载波功率比值的分贝形式： L{△w}=10Ilog Psideband(w,+△w,1Hz) (2.10) 其中△ω为频率偏移量，ω。为载波频率。相位噪声是衡量压控振荡器乃至频 率综合器性能最主要的指标之一，在系统中，压控振荡器的相位噪声是直接影响 到灵敏度的最主要因素。 Ideal Oscillator Actual Oscillator 00 图2.3压控振荡器的频谱 L{△w汁 f3 1 Wo AW1 ω 图2.4典型相位噪声曲线 一个典型的压控振荡器的相位噪声曲线如图2.4，大致可分为三个区域，在 近频端相位噪声斜率为-30dB/10倍频，称为1区域，在稍远端相位噪声斜率为 -20B/10倍频偏，称为1？区域；最远端是振荡器本身的白噪声区域3]。1R区 域与1P区域之间分界点称为拐点频率△ω。具有1P特性的相位噪声由振荡 器器件的闪烁噪声所引起，而具有1？特性的相位噪声则是由器件的白噪声所引 起。压控振荡器的器件噪声主要来源于谐振电感和电容的串联寄生电阻，差分对第二章 电感电容压控振荡器 9 位噪声的定义为 1Hz 内单边带噪声谱密度与载波功率比值的分贝形式： ⎛ ⎞ ⎜ ⎟ ⎝ ⎠ sideband 0 carrier P (ω +Δω,1Hz) L{Δω} =10log P (2.10) 其中Δω为频率偏移量，ω0 为载波频率。相位噪声是衡量压控振荡器乃至频 率综合器性能最主要的指标之一，在系统中，压控振荡器的相位噪声是直接影响 到灵敏度的最主要因素。 ω0 ω 图 2.3 压控振荡器的频谱 ω0 ω L{Δω} 3 1 f 2 1 f 2 1 f Δω 图 2.4 典型相位噪声曲线 一个典型的压控振荡器的相位噪声曲线如图 2.4，大致可分为三个区域，在 近频端相位噪声斜率为-30dB/10 倍频，称为 1/f3区域，在稍远端相位噪声斜率为 -20dB/10 倍频偏，称为 1/f2区域；最远端是振荡器本身的白噪声区域[3]。1/f3区 域与 1/f2 区域之间分界点称为拐点频率 2 1/f Δω 。具有 1/f3 特性的相位噪声由振荡 器器件的闪烁噪声所引起，而具有 1/f2特性的相位噪声则是由器件的白噪声所引 起。压控振荡器的器件噪声主要来源于谐振电感和电容的串联寄生电阻，差分对