a V=-5V 解：对N沟道EMOS管来说：必须保证VGs>0、VDs>0。 (1)、当y>0时，可认为a为漏极、b为源极。电路可 等效为： y>0 在非饱和区理想状态，可认为VDs0 所以VGs=VG-Vs>Vos Vs=V6≈Va=V,=+5V Va >Vs VGs(uh)=+5V+2V=7V 解：对N沟道EMOS管来说：必须保证 VGS > 0 、VDS > 0 。 （1）、当 vI > 0 时，可认为 a 为漏极、b 为源极。电路可 等效为： vO vG vI >0 a RL b iD 在非饱和区理想状态，可认为VDS ≈0 所以 VG S = VG −VS  VG S(t h) VS =Vb Va =VI = +5V VG  VS +VG S(t h) = +5V + 2V = 7V VU=-5V b vI RL vO a vG