NPN型BJT结构 冷当两块不同类型的半导体结合在一起时,交界处就 会形成PN结。BT有两个PN结:发射区与基区交界 处的PN结称为发射结,集电区与基区交界处的PN 结称为集电结,两个PN结通过很薄的基区联系。 冷在N型硅片氧化膜上光刻一个窗口,进行硼杂质扩 散,获得P型基区,再在P型半导体上光刻一窗口, 进行高浓度的磷扩散,获得N型发射区,表面是 层二氧化硅保护层,N型衬底用作集电极。 冷大部分NPN型硅BT都属于这种结构。NPN型BJT结构 ❖ 当两块不同类型的半导体结合在一起时，交界处就 会形成PN结。BJT有两个PN结：发射区与基区交界 处的PN结称为发射结，集电区与基区交界处的PN 结称为集电结，两个PN结通过很薄的基区联系。 ❖ 在N型硅片氧化膜上光刻一个窗口，进行硼杂质扩 散，获得P型基区，再在P型半导体上光刻一窗口， 进行高浓度的磷扩散，获得N型发射区，表面是一 层二氧化硅保护层，N型衬底用作集电极。 ❖ 大部分NPN型硅BJT都属于这种结构。 4