超结MOSFET 4.9节WOSFET发展方向 4 400FA160V8mm28k5E人 典型器件剖面照片 900V样管 中国电子学会电子镇皂料学楂术受 本课题组与华虹NEC合作， 四川省科学技术进步奖 获奖证书 采用国际领先的挖槽填充工 证书 展至越，二等奖 为表第中电子学会 艺流程及电荷平衡技术，开 电子信息科学技术奖获得 实路剥脚，科植连争风 者，特额发此证书 明甘鬼体：帅华高a路国并关城提术与成用 发了国内第一个量产的700V 关等国：一等 低奖看：位量 证书号，K2m1310D 超结MOSFET.工艺平台。 书号小1的的7 4.9节 MOSFET发展方向 典型器件剖面照片 900V样管 本课题组与华虹NEC合作， 采用国际领先的挖槽填充工 艺流程及电荷平衡技术，开 发了国内第一个量产的700V 超结MOSFET工艺平台