§2.2 MOSFET开关 e (1) 阈值电压V:开始形成导电沟道时的栅源电压。 NMOS:阈值电压Vn为正数，典型值0.30.7V 'csm>Vn时，晶体管导通 'Gsn≤Vm时，晶体管截止 PMOS: 阈值电压V,为负数，典型值-0.3~-0.8V VsGm>Vp时，晶体管导通 VsGnVI时，晶体管截止 2018-9-5 第2章MOSFET:逻辑设计 §2.2 MOSFET开关 NMOS阈值电压V逻辑含义 to V DD Drain VpD Gate A=1 Mn On Mn VGSn Source 01 A=0 Mn Off (a)Gate-source voltage (b)Logic translation Figure 2.14 Threshold voltage of an nFET 2018-9-5 第2章MOSFET:逻辑设计 82018-9-5 第2章 MOSFET逻辑设计 7 §2.2 MOSFET开关 （1） 阈值电压VT：开始形成导电沟道时的栅源电压。 NMOS：阈值电压VTn为正数，典型值0.3~0.7V VGSn＞VTn时，晶体管导通 VGSn≤VTn时，晶体管截止 PMOS：阈值电压VTp为负数，典型值–0.3~ – 0.8V VSGp＞|VTp |时，晶体管导通 VSGp≤|VTp |时，晶体管截止 2018-9-5 第2章 MOSFET逻辑设计 8 §2.2 MOSFET开关 NMOS阈值电压VTn逻辑含义