概述 金属化是芯片制造过程中在绝缘介质薄膜上 淀积金属薄膜,通过光刻形成互连金属线和集成 电路的孔填充塞的过程。金属线被夹在两个绝缘 介质层中间形成电整体。高性能的微处理器用金 属线在一个芯片上连接几千万个器件,随着互连 复査性的相应增加,预计将来每个芯片上晶体管 的密度将达到10亿个。 由于USI组件密度的增加,互连电阻和寄生电 容也会随之增加,从而降低了信号的传播速度。 减小互连电阻可通过用铜取代铝作为基本的 导电金属而实现。对于亚微米的线宽,需要低K值 层间介质(ILD)。通过降低介电常数来减少寄生 电容。 半导体制造技术 电信学院微电子教研室 by Michael Quirk and Julian Serda半导体制造技术 电信学院微电子教研室 by Michael Quirk and Julian Serda 概 述 金属化是芯片制造过程中在绝缘介质薄膜上 淀积金属薄膜，通过光刻形成互连金属线和集成 电路的孔填充塞的过程。金属线被夹在两个绝缘 介质层中间形成电整体。高性能的微处理器用金 属线在一个芯片上连接几千万个器件，随着互连 复查性的相应增加，预计将来每个芯片上晶体管 的密度将达到10亿个。 由于ULSI组件密度的增加，互连电阻和寄生电 容也会随之增加，从而降低了信号的传播速度。 减小互连电阻可通过用铜取代铝作为基本的 导电金属而实现。对于亚微米的线宽，需要低K值 层间介质（ILD）。通过降低介电常数来减少寄生 电容