几种半导体材料的性能参数 材料 S e CdTe Cdznte hgl CdSe GaAs 原子序数(Z) 48、5248、30、80、5348、3431、33 密度(gcm 2.33 5.32 6.06 59~59564 5.74 5.36 介电常数E 117 15.7 4.46 8.8 12.5 禁带宽度Eg(eV 1.12/1.160670.74147 14~2262.13 1.70 1.43 平均电离能WeV) 362/3.76280/296446 4.3 4.35 工作温度(K) 300/7 30077300 300 300 300 漂移迁移率电子 1450 3900 l100 l100 100 650 8600 Icm/(Vs) 空穴 1900 100 50 4 65 1000 少数载流子寿命τ(pus) 103 10 1.1×10-22 103 0.1 电阻率(9cm) 109 10 1013 1012 107 俘获长度(mm) 10 能量|5Fe,X5.9KeV0.136 1.5 0.295 分辨率 FWHM 24Am,y 59.5KeV040 0.3 1.5 1.2 5.9 2.6 (Kev) 57.Coy 122KeV 0.4 4.5 3.9 2.0 137Cs, y 662KeV 0.9 0.9 8 10 4.5 24Ama548Mev13.5 64.8材料 Si Ge CdTe CdZnTe HgI2 CdSe GaAs 原子序数（Z） 14 32 48、52 48、30、 52 80、53 48、34 31、33 密度（g/cm3） 2.33 5.32 6.06 5.9～5.95 6.4 5.74 5.36 介电常数 11.7 15.7 4.46 8.8 12.5 禁带宽度Eg(eV) 1.12/1.16 0.67/0.74 1.47 1.4～2.26 2.13 1.70 1.43 平均电离能W(eV) 3.62/3.76 2.80/2.96 4.46 4.3 4.35 工作温度（K） 300/77 300/77 300 300 300 300 300 漂移迁移率 [cm2 /(V.s)] 电子 1450 3900 1100 1100 100 650 8600 空穴 450 1900 100 50 4 65 1000 少数载流子寿命τ (s) 103 103 6 1.1×10-2 25 10-3 0.1 电阻率(Ω·cm) 104 102 109 1011 1013 1012 107 俘获长度(mm) 103 103 1 1 1 能量 分辨率 FWHM (KeV) 55Fe, X 5.9KeV 0.136 1.1 1.5 0.295 241Am, 59.5KeV 0.40 0.3 1.5 3 1.2 5.9 2.6 57.Co, 122KeV 0.55 0.4 4.5 3.9 2.0 137Cs, 662KeV 0.9 0.9 8 10 4.5 241Am,5.48MeV 13.5 64.8 几种半导体材料的性能参数