(3)工作 Vcc z:加高电平,T5、T6 导通,选中该单元。 T3 T4 T5 T6 写入:在W、W上分别加 高、低电平,写1/0 读出:根据W、W上有无 电流,读1/0。 (4)保持 z:加低电平,T5、T6截止,该单元未选中,保持原状态。 只要电源正常,保证向导通管提供电流,便能维持一管导 通,另一管截止的状态不变,∴称静态。 静态单元是非破坏性读出,读出后不需重写 2存储芯片 例.SRAM芯片2114(1K×4位) 外特性:（3）工作 Z：加高电平，T5、T6 高、低电平，写1/0。 （4）保持 只要电源正常，保证向导通管提供电流，便能维持一管导 通，另一管截止的状态不变，∴称静态。 Vcc T3 T1 T4 T2 T5 T6 Z W W 导通，选中该单元。 写入：在W、W上分别加 读出：根据W、W上有无 电流，读1/0。 Z：加低电平，T5、T6截止，该单元未选中，保持原状态。 2.存储芯片 例.SRAM芯片2114（1K×4位） 外特性： 静态单元是非破坏性读出，读出后不需重写