(1)NMOS反相器 大学 非饱和型有源负载反相器如图226所示。 >该反相器负载管 GG DD 01010100 的栅极采用独立电 10010101 源 GG> 当V GGDD 00101010 >Hn时,负载管2 010J10 Vo yoH 工作在非饱和区 输出电平可接近 VD值,电路的工 10010101 作速度提高功率 00图26非饱和型NMs反相器损耗降低 0101000 >缺点是增加了一 个电源a⑴NMOS反相器 ➢ 非饱和型有源负载反相器如图2-26所示。 ➢该反相器负载管 的栅极采用独立电 源VGG，当VGG-VDD ＞VT2时，负载管T2 工作在非饱和区。 输 出 电 平 可 接 近 VDD值 ， 电路的 工 作速度提高，功率 损耗降低。 ➢缺点是增加了一 个电源。 VDD T2 T1 vO vI VIL VIH VOH VOL 图 2-26 非饱和型NMOS 反相器 VGG