7.1.1FET电流源电路 1.MOSFET镜像电流源 +VDD T1、T,的参数全同 IREF 只要满足Vcs>VN dz NMOS 必有VDs1>Vcs-VN d T1一定工作在饱和区 VDS T 又因为VGs2=Vcs1=Vcs VGs T,漏极接负载构成回路后，只要 满足VDs2>VGS-VTN,就一定工 -Vss 作在饱和区，且有 Lo=102=Igur Pon+Ls -Vos R7.1.1 FET电流源电路 1. MOSFET镜像电流源 R V V V I I I DD SS GS O D2 REF      T1、T2的参数全同 只要满足 VGS > VTN 必有 VDS1 > VGS-VTN T1一定工作在饱和区 又因为 VGS2 = VGS1 = VGS T2漏极接负载构成回路后，只要 满足VDS2 > VGS-VTN ，就一定工 作在饱和区，且有