B B6=( 可见,霍耳系数:K= A (a)正电荷导电(空穴型) (b)负电荷导电(电子型) 图5-41 霍耳效应与载流子电荷正负的关系 两侧电压U何处高,与导电载流子类型(正、负)有关,参照图5-41分析,这里 的知识可用于判断半导体类型(P、N) 本章内容小结 1、安培定律:dF124兀 012dl2×(1dl1x2) 安培力公式:dF=lll×B (1)定义B (2)计算磁场对电流作用力:L=m×B,m=Ⅰ。 3、毕奥—一萨伐尔定律:B40l×F 场方程:5B=05B:d=21 5、洛仑兹力:F=q×B5－5－8 UAA = uBb d IB nq ) 1 = ( 可见，霍耳系数： nq K 1 = 。 (a)正电荷导电（空穴型） (b)负电荷导电（电子型） 图 5-41 3、霍耳效应与载流子电荷正负的关系 两侧电压 UAA 何处高,与导电载流子类型（正、负）有关，参照图 5-41 分析，这里 的知识可用于判断半导体类型（ P 、 N ）。 本章内容小结 1、安培定律： 2 12 0 2 2 1 1 12 12 ( ) 4 r I dl I dl r dF       =   2、安培力公式： dF Idl B    =  (1) 定义 B  ； (2) 计算磁场对电流作用力 ： L m B    =  , m I s   = 。 3、毕奥——萨伐尔定律：   = 2 0 4 r Idl r B      4、场方程：   =   =  L内 i s L B ds B dl I 0 0,      5、洛仑兹力： F qv B    =  I ' A I ' A L A F  FL  A