§222半导体激光器的结构 绝缘介质 P-In GaAsP P-InP N-InP InGaAsP 什+-InP衬底 图222-2增益导引型半导体激光器 折射率导引型半导体激光器 目录 通过在侧向采用类似异质结的设计而形成 电的波导,引入折射率差,也可以解决在侧向的 光 信光限制问题, 转 结上一张 章首 下一张 结束 节首 目录 第 二 章 电 光 信 息 转 换 6 图2.2.2-2 增益导引型半导体激光器 二、 折射率导引型半导体激光器 通过在侧向采用类似异质结的设计而形成 的波导，引入折射率差，也可以解决在侧向的 光限制问题， P-InP N-InP InGaAsP N+ -InP衬底 绝缘介质 P-InGaAsP §2.2.2 半导体激光器的结构