(1)势垒电容CB 势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。当外加电压使PN结上压降发生变化时 离子薄层的厚度也相应地随之改变,这相当PN结中存储的电荷量也随之变化,犹如电容的 充放电。势垒电容的示意图见图。 P 1 6e⊕ 势垒电容示意图 (2)扩散电容CD 扩散电容是由多子扩散后,在PN结的另一侧面积累而形成的。因PN结正偏时,由 N区扩散到P区的电子,与外电源提供的空穴相复合,形成正向电流。刚扩散过来的电子 就堆积在P区内紧靠PN结的附近,形成一定的多子浓度梯度分布曲线。反之,由P区 扩散到N区的空穴,在N区内也形成类似的浓度梯度分布曲线。扩散电容的示意图如图 所示 当外加正向电压不同时,扩散电流即外电路电流的大小也就不同。所以PN结两侧堆 积的多子的浓度梯度分布也不同,这就相当电容的充放电过程。势垒电容和扩散电容均是 非线性电容。 Pn 扩散电容示意图6 (1) 势垒电容 CB 势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。当外加电压使PN结上压降发生变化时， 离子薄层的厚度也相应地随之改变，这相当PN结中存储的电荷量也随之变化，犹如电容的 充放电。势垒电容的示意图见图。 势垒电容示意图 (2) 扩散电容 CD 扩散电容是由多子扩散后，在 PN 结的另一侧面积累而形成的。因 PN 结正偏时，由 N 区扩散到 P 区的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子 就堆积在 P 区内紧靠 PN 结的附近，形成一定的多子浓度梯度分布曲线。反之，由 P 区 扩散到 N 区的空穴，在 N 区内也形成类似的浓度梯度分布曲线。扩散电容的示意图如图 所示。 当外加正向电压不同时，扩散电流即外电路电流的大小也就不同。所以 PN 结两侧堆 积的多子的浓度梯度分布也不同，这就相当电容的充放电过程。势垒电容和扩散电容均是 非线性电容。 扩散电容示意图