1-1-1功率半导体技术新进展 功率开关器件发展阶段 50年代 60年代 70年代 80年代 90年代 可控硅SCR快速晶闸管可关断晶闸管GTO1高压GTC 大容量大功率高性能 (晶闸管) 2 IGCT 省吸收与IGBT结合 3 MCT 优势互补 (MOS晶闸管) 电力晶体管GTR 1 IGBT 1高速IGBT 2功率 MOSFET 2低电荷功率 MOSFET 水平:SCR--80004/12KV光控SCR---40008KV快速SCR-800A/2KV/20KHZ GTR-800A/1800V/2KHZ,600A/1400V/5KHZ,3A/600V10KHZ 功率 MOSFET--60V/200A/2MZ500/50A/100KHZ IGBT1, UIGBT-满足低电压驱动和表面 77 1-1-1 功率半导体技术新进展 功率开关器件发展阶段 50年代 60年代 70年代 80年代 90年代 可控硅 SCR 快速晶闸管 可关断晶闸管GTO 1 高压GTO 大容量大功率高性能 （晶闸管） 2 IGCT 省吸收与IGBT结合 3 MCT 优势互补 （MOS晶闸管） 电力晶体管GTR 1 IGBT 1 高速IGBT 2 功率MOSFET 2低电荷功率 MOSFET 水平： SCR ---8000A/12KV 光控SCR-----4000A/8KV 快速SCR-----800A/2KV /20KHZ GTR---800A/1800V/2KHZ ,600A/1400V/5KHZ ,3A/600V100KHZ 功率MOSFET-----60V/200A/2MHZ 500V/50A/100KHZ IGBT 1，UIGBT----满足低电压驱动和表面 ◼ ◼ ◼